时间:2024-04-04 03:57:00来源:互联网
中金公司4月3日研报指出,随着下游手机、PC、服务器等行业需求的逐步复苏以及存储原厂削减产能逐步落地,从2023年三季度开始部分大类存储的价格开始触底反转步入上行通道,相关国内外厂商股价均有所表现。站在当前时点依旧看好行业整体有望维持景气向上趋势,同时建议积极关注各细分产业链赛道。1)大类存储受益于HBM供不应求,供需格局有望持续优化。2)利基存储有望跟随大类存储步入上行通道。3)服务器去库存接近尾声叠加DDR5渗透率提升利好内存接口芯片赛道。
全文如下中金 | 智算未来系列四:存储,算力粮仓新篇章
中金研究
随着下游手机、PC、服务器等行业需求的逐步复苏以及存储原厂削减产能逐步落地,我们看到从3Q23开始部分大类存储的价格开始触底反转步入上行通道,相关国内外厂商股价均有所表现。站在当前时点我们依旧看好行业整体有望维持景气向上趋势,同时建议积极关注各细分产业链赛道。1)大类存储受益于HBM供不应求,供需格局有望持续优化。2)利基存储有望跟随大类存储步入上行通道。3)服务器去库存接近尾声叠加DDR5渗透率提升利好内存接口芯片赛道。
摘要
周期复盘:1)根据市场规模变化情况,融易新媒体消息,我们可以看到存储芯片的波动周期大概是3至4年为一个周期。历史上周期上行主要驱动因素有终端销量爆发、新技术投入应用、晶圆厂合并/减产/产能不足等因素。周期下行的因素包括产能过剩、国际经济形势影响及需求疲软等。2)股价相较于公司的基本面具有一定的领先性,时间在1~2个季度不等。3)利基存储与大类存储趋势同步性较高,从供给和下游需求结构来看有一定的重合度。
存储芯片:大类存储供给端产能去化初见成效,需求端景气度逐渐修复,价格有望持续上行。DDR4因产能受HBM及DDR5挤压形成缺货,我们预计DDR4系列产品1Q24景气持续;客户补库需求推动NAND淡季不淡;HBM系产品及DDR5乘AI算力东风,供不应求,价格维持高位。利基存储厂商营收环比向好,行业回暖趋势已较为明朗。
存储模组:上游存储芯片价格起涨带动模组价格同涨,下游服务器等产品需求修复抬高供给价格。当前存储芯片价格反弹提升模组厂商备货意愿+台、陆模组厂商于3Q23开始战略性备货,我们认为模组端库存有望于2024年逐步释放。
内存接口芯片:1)服务器出货量增加、AI服务器出货占比扩大带动内存接口芯片需求上涨。2)DDR5渗透率提升+子代迭代速度快对配套内存接口芯片及套片存在强需求。
HBM:HBM的应用缓解了“内存墙”的问题。根据SK海力士估算, HBM的需求在2022至2025年之间的CAGR增速将达到109%。SK海力士、三星电子、美光科技三大家竞争进入白热化,各自发力HBM3E产品。
风险
AI应用推进不及预期,各大原厂减产幅度不及预期。