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我国科学家发明新型“热发射极”晶体管

时间:2024-08-17 02:50:01来源:互联网

晶体管家族增添新成员 我国科学家发明新型“热发射极”晶体管

△载流子受激发射效果图

近日,中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料,发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制并构建了“发射极”晶体管,得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路,研究成果8月15日在国际学术期刊《自然》上发表。

该工作开辟了晶体管器件研究的新领域,为热载流子晶体管家族增添了新成员,融易新媒体消息,并有望推动其在未来低功耗、多功能集成电路中广泛应用。

(总台央视记者 帅俊全 褚尔嘉)


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