快捷导航 
时间：2022-11-17 02:22:02来源：互联网
为了将DRAM的多晶硅栅极/SiON转换为HKMG栅极，需要对相关工艺举办变动，还必需对HKMG质料、工艺和集成流程举办优化，以适合新质料和新工艺。详细来看，要开拓出一套巨大的工艺（详细环境不得而知，因为这是SK海力士的焦点竞争力，属于绝对的贸易机要），来办理以下几个问题。
一是要办理兼容性问题。与多晶硅栅极/SiON对比，HKMG的热不变性较弱，由于DRAM需要在高温下举办非凡处理惩罚，以实现单位阵列布局，这与逻辑芯片（CPU、GPU等）回收的HKMG工艺有很大差异。因此，DRAM中HKMG工艺的非凡性会导致其靠得住性下降，这就必需对HKMG工艺和DRAM集成工艺举办优化，以办理靠得住性下降问题。
二是新质料控制。需要引入工艺控制法子，比方针对新质料的丈量方案，以防备现有器件受到新质料和新工艺的影响。
三是要开拓具有本钱效益的工艺。可通过工艺集成优化，最大限度地淘汰因引入新质料和新工艺而导致的本钱增加。
四是设计与测试优化。跟着栅极质料的变革，晶体管特性和靠得住性与传统多晶硅栅极/SiON截然差异，为了最大限度地发挥HKMG的优势，加强靠得住性，需要新设计方案，并优化相关测试。
总之，通过将HKMG整合、优化成为合用于DRAM工艺的形式，开拓出新平台，并通过包罗试点操纵在内的预验证工艺来确保方案可行，从而实现将HKMG工艺用于DRAM量产。
结语以往，具备低泄电、高机能特性的先进制程工艺多用于逻辑芯片，出格是PC、处事器和智妙手机用CPU，如今，这些工艺开始在以DRAM为代表的存储器中应用，再加上EUV等先进设备和工艺的“互通”，逻辑芯片和存储器的制程节点和制造工艺越来越临近。
在上世纪60年月，当CPU刚开始批量出产的时候，其制造工艺就是基于其时的存储器SRAM的工艺，颠末几十年的成长，应用系统的变迁对CPU的要求不绝提高，相应的制程工艺随摩尔定律快速成长。相对而言，存储器对制程的要求没有CPU那么高，但跟着应用的进一步成长，出格是大数据和AI的演进，原有存储器制程的成长节拍难以满意应用要求了。因此，存储器制程工艺紧追了上来，今朝已经十分靠近以CPU为代表的逻辑芯片了。
这样的成长也使得CPU和DRAM之间的工艺壁垒变小了，这也在必然水平上迎合了存算一体成长趋势，也就是将CPU、AI等成果集成进DRAM。HKMG工艺在DRAM上的应用可以进一步促进存算一体的成长。
