融易新媒体
快捷导航 融易新媒体

经济

热点追踪

自媒体

主页 > 财经 > 证券 >

获国家大基金加持 碳化硅晶片供应商天科合达闯关科创板

时间:2020-07-20 20:36:32来源:融易新媒体

获国度大基金加持 碳化硅晶片供给商天科合达闯关科创板...

  7月14日,上交所正式受理了北京天科合达半导体股份有限公司(简称“天科合达”)科创板上市申请。据招股书显示,天科合达是海内领先的第三代半导体质料——碳化硅晶片出产商。天科合达暗示,跟着碳化硅器件及其下游市场泛起发作性增长,海内的碳化硅衬底质料供给已无法满意下游市场的需求,公司在现有产能的基本上,拟对主营业务碳化硅衬底质料举办扩产。本次闯关科创板,天科合达拟召募资金5亿元投建碳化硅衬底财富化基地建树项目。

  专注碳化硅规模

  招股书显示,天科合达是海内领先的第三代半导体质料——碳化硅晶片出产商。公司主要从事碳化硅规模相关产物研发、出产和销售,主要产物包罗碳化硅晶片、其他碳化硅产物和碳化硅单晶发展炉,个中碳化硅晶片是公司焦点产物。

  据先容,以碳化硅为代表的第三代半导体质料是继硅质料之后最有前景的半导体质料之一,与硅质料对比,以碳化硅晶片为衬底制造的半导体器件具备高功率、耐高压、耐高温、高频、低能耗、抗辐射本领强等利益,可遍及应用于新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代家产规模。第三代半导体行业是我国“新基建”计谋的重要构成部门,并有望激发科技厘革并重塑国际半导体财富名堂。

  据相识,碳化硅衬底作为第三代半导体财富的基本质料,具有较高的应用前景和财富代价,在我国半导体财富成长中具有重要的计谋职位。恒久以来,碳化硅衬底的焦点技能和市场根基被西欧发家国度把持,而且产物尺寸越大、技能参数程度越高,其技能优势越明明。

  天科合达自2006年创立以来,一直专注于碳化硅晶体发展和晶片出产规模,先后研制出2英寸、3英寸、4英寸碳化硅衬底,于2014年在海内首次研制出6英寸碳化硅晶片,并已形陈局限化出产本领,工艺技能程度处于海内领先职位。

  按照YoleDevelopment统计,2018年天科合达导电型晶片的全球市场占有率为1.7%,排名全球第六、海内第一。

  天科合达曾于2017年4月10日正式在全国股转系统挂牌果真转让,并于2019年8月12日终止在全国股转系统挂牌转让。按照招股书,新疆出产建树兵团第八师国资委为天科合达的实际节制人。第八师国资委直接持有天富团体77.03%的股权,并通过持有石河子国有资产公司93.56%股权间接节制天富团体22.97%的股权,为天富团体的控股股东,第八师国资委通过天富团体节制刊行人24.15%股份。另外,中科院物理所、国度大基金、哈勃投资等均为天科合达的股东之一。

  未分派利润为负

  财政数据显示,2017年至2019以及2020年1-3月(简称“陈诉期内”),天科合达别离实现营业收入2406.61万元、7813.06万元、15516.16万元和3222.93万元,融易资讯网(www.ironge.com.cn),归属于母公司所有者的净利润别离为-2034.98万元、194.40万元、3004.32万元和439.77万元,扣除很是常性损益后归属于母公司所有者的净利润别离为-2572.06万元、-420.11万元、1219.21万元和151.03万元。

  值得一提的是,停止陈诉期末,公司归并报表未分派利润为-1522.49万元。2017年以前,由于公司一连研发投入,以及受碳化硅半导体质料家产化应用历程较慢影响,公司一连吃亏,累计未补充吃亏局限较大。2018年以来,跟着公司产物出产工艺的成熟和下游需求的增加,公司收入局限快速增长,并实现一连盈利,累计未补充吃亏局限一连减小,但停止陈诉期末,归并财政报表的未分派利润仍然为负。对此,公司提示风险,假如公司无法完全补充以前年度的累计吃亏,将存在短期内无法向股东举办利润分派的风险。

  陈诉期内公司研发投入别离为1488.35万元、1262.00万元、2919.28万元和568.27万元,占同期营业收入的比例别离为61.84%、16.15%、18.81%和17.63%,个中2017年由于公司营收局限较低,因此研发投入占较量高。

  停止陈诉期末,天科合达拥有已获授权的专利34项,个中已获授权发现专利33项(含6项国际发现专利)。

  天科合达暗示,陈诉期内,跟着新能源汽车、5G通讯等下游应用场景的慢慢成熟,市场对碳化硅晶片及相关产物的需求快速增长。公司按照市场需求环境不绝扩大碳化硅晶体和晶片产能,并设立沈阳分公司专业从事碳化硅单晶发展炉业务,产物供应本领不绝晋升。陈诉期内,公司业务快速成长,盈利本领一连加强。

  募资加码主营业务

  招股书显示,天科合达拟果真刊行不高出6128万股人民币普通股,召募资金拟投资第三代半导体碳化硅衬底财富化基地建树项目,项目投资总额为95706万元,个中以召募资金投入的金额为5亿元。

标签:
碳化硅,半导体材料,衬底材料,下游市场,招股 
近期热点

最新消息:雪山贷实控人疑似失联 一周前宣布将赴美上市 04-27

今日财经要闻: 美的置业提前一年冲千亿:拿地显著提速 高负债 07-18

_今日最新实时新闻: 美汽车厂商欲削减人工成本 07-19

最新国内新闻: 小牛奔腾之涨停股揭秘:猪肉概念股全线活跃 08-03

今日热点新闻: 上半年业绩不佳 部分ST公司拉响警报 08-07

热门文章
热点 热点追踪 网站首页 热点 观点